反铁磁性DyRh$_2$Si$_2$中的磁矩倾斜与畴效应
强关联电子
2023-07-05 v2 材料科学
摘要
本文给出对 ThCrSi 型层状反铁磁化合物 DyRhSi 的实验与理论联合研究。热容在降温时显示两个相变：第一个在 N{\'e}el 温度 ，第二个在 。利用磁化测量，我们研究了 Dy 磁矩随温度变化的倾斜过程，并将 归结为磁矩从 轴朝向 方向倾斜的开始。此外，我们发现磁化的场依赖高度各向异性，并且在 时呈现两步过程。我们使用平均场模型确定了晶场以及交换相互作用参数。我们的磁化数据结合计算表明，在低温低场下四方结构中磁矩取向接近 方向。应用光发射电子显微镜，我们探测了解理 DyRhSi 单晶的 (001) 表面，并可视化了 Si- 和 Dy-终止表面。我们的结果表明 Si-Rh-Si 表面保护了更深处的磁性活跃 Dy 层，因而对于研究广大 LnTSi 材料家族中的磁畴及其性质颇具吸引力。
引用
@article{arxiv.2304.08607,
title = {Moment canting and domain effects in antiferromagnetic DyRh$_2$Si$_2$},
author = {Kristin Kliemt and Michelle Ocker and Sarah Krebber and Susanne Schulz and Denis V. Vyalikh and Cornelius Krellner and Dmitry Yu. Usachov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.08607},
year = {2023}
}