氦累积轰击钨表面的分子动力学模拟
材料科学
2015-06-18 v1 计算物理
摘要
进行了分子动力学 (MD) 模拟，以研究低能 (60-200 eV) 氦 (He) 原子对钨 (W) 表面的累积轰击。研究了 He 的行为以及 W 表面的响应。He 的入射能量和钨温度对 He 团簇的形成和生长起着重要作用。温度可以促进 He 团簇的合并并增加 He 团簇的尺寸。观察到 He 深度分布的分层现象。观察到了 He 团簇的破裂，同时观察到 W 原子的逃逸和再沉积。在 He 团簇形成过程中，产生了间隙 W 原子并演变为<111> 拥挤子 (crowdions) 束，这些拥挤子将在很长一段时间内被限制在 He 团簇周围。然而，它们最终将沿<111> 方向移动到顶层表面，导致 W 原子在表面堆叠。He 团簇和间隙原子的复杂组合效应导致了表面的生长。
引用
@article{arxiv.1312.5826,
title = {Molecular dynamics simulations of cumulative helium bombardments on tungsten surfaces},
author = {Min Li and Jiechao Cui and Jun Wang and Qing Hou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.5826},
year = {2015}
}