离子门控对1.5 nm厚Pd薄膜中自旋转换的调制
材料科学
2020-09-01 v1 应用物理
摘要
研究了在铁磁绝缘体上生长的1.5 nm厚Pd薄膜中由栅极诱导的自旋轨道相互作用(SOI)调制。离子门控的高效电荷积累使Pd薄膜的费米能级显著上移，这一点由Pd电阻率的抑制所证实。在自旋泵浦下，Pd中由逆自旋霍尔效应产生的电动势被门控大幅调制，这是Pd的自旋霍尔电导率被调制的结果，与超薄Pt薄膜中的情形相同。使用薄Cu薄膜进行的相同实验进一步支持了我们的结论，因为Cu的能带结构与Pd和Pt大不相同且其SOI非常小。所得结果有助于对固体中栅极可调SOI形成整体理解，并证实了先前关于超薄Pt薄膜中自旋霍尔电导率被门控显著调制的解释。
引用
@article{arxiv.2008.13438,
title = {Modulation of spin conversion in a 1.5 nm-thick Pd film by ionic gating},
author = {Shin-ichiro Yoshitake and Ryo Ohshima and Teruya Shinjo and Yuichiro Ando and Masashi Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.13438},
year = {2020}
}
备注
15 pages, 4 figures