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在驻波门光束中调制载波与边带耦合强度

量子物理 2015-12-16 v2 原子物理

摘要

我们通过将囚禁离子置于共振光学驻波中,控制其载波与一阶运动边带相互作用的相对耦合强度。我们的配置使用微加工芯片陷阱的表面作为镜面,避免了真空内光学腔的技术挑战。沿驻波位移离子,我们展示了载波与边带跃迁的周期性抑制,两种情况的周期相互相位差 180180^\circ。该技术在寻址运动边带时允许抑制离共振载波激发,可应用于量子模拟与量子控制。利用驻波条纹,我们测量了相对离子高度作为外加电场的函数,从而允许精确测量离子位移,并结合测得的微运动振幅,验证陷阱数值模型。

关键词

引用

@article{arxiv.1507.00381,
  title  = {Modulating carrier and sideband coupling strengths in a standing wave gate beam},
  author = {Thomas E. deLaubenfels and Karl A. Burkhardt and Grahame Vittorini and J. True Merrill and Kenneth R. Brown and Jason M. Amini},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1507.00381},
  year   = {2015}
}

备注

5 pages, 4 figures