应变 SnV 中零光子线的建模：关于计算成本与准确性的反思
材料科学
2026-04-28 v1
摘要
在 diamond 中的 IV 空位颜色中心中，SnV 因其基于光子的量子应用前景突出。本文使用第一性原理方法计算 Tin-Vacancy（SnV）零光子线（ZPL）及其压力系数。预测的绝对 ZPL 位置受所用方法和超胞大小的显著影响。因此，我们对结果进行外推至稀释极限，以便与实验直接比较。强调确定与颜色中心相关的 Kohn--Sham 态的重要性，以及这些态因电子激发、超胞大小和 k 点位置而产生的位移。在绝对 ZPL 位置方面与实验的不同，SnV ZPL 相对于 SnV ZPL 始终向红移约 43 nm。在此外，压力系数在不同方法下非常稳健，始终约为 1.4 nm/GPa，适用于 SnV 和 SnV。最后，讨论了计算的准确性与成本。
引用
@article{arxiv.2604.23715,
title = {Modeling the Zero-Phonon Line of Strained SnV Centers in Diamond; Including Reflections on Computational Cost and Accuracy},
author = {Danny E. P. Vanpoucke},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.23715},
year = {2026}
}
备注
Manuscript: 12 pages, 2 figures, 6 tables SI: 8 pages, 11 tables