半导体晶圆缺陷的激光束散射建模研究
光学
2017-02-24 v1
摘要
对硅晶圆上纳米尺度缺陷的光散射进行精确建模对于实现未来不断缩小的半导体技术节点至关重要。然而，这种缺陷散射的建模仍然未解决，因为现有建模技术未能考虑复杂的缺陷和晶圆几何形状。在此，我们给出位于硅晶圆表面的球形和椭球形粒子的激光束散射结果。在多层处理器集群上部署了商用电磁场求解器（HFSS），获得了此前未知精度的结果，低至-170 dB的光散射强度。我们计算了位于半导体晶圆上的硅纳米球在垂直和平行偏振下的三维散射图样，并展示了球体尺寸对散射的影响。我们进一步计算了具有不同取向角的纳米尺度椭球形粒子的散射图样，揭示了椭球取向对散射的影响。
引用
@article{arxiv.1702.07051,
title = {Modeling Study of Laser Beam Scattering by Defects on Semiconductor Wafers},
author = {Srikumar Sandeep and Alexander Kokhanovsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.07051},
year = {2017}
}