硅基阻挡掺杂带红外探测器暗电流模型
应用物理
2025-12-19 v3 强关联电子
摘要
硅基阻挡掺杂带 (BIB) 红外探测器的暗电流长期以来是设备性能的关键限制因素。本文提出了一种基于介面 chiral-phonon-辅助自旋电流模型，以解释在低偏压电压下观察到的抛物线状暗电流行为。同时，采用空间局限电荷传输理论阐明了整个工作电压范围内的暗电流生成机制。
引用
@article{arxiv.2507.14923,
title = {Model of dark current in silicon-based barrier impurity band infrared detector devices},
author = {Mengyang Cui},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.14923},
year = {2025}
}