两步烧结 8 mol% 氧化钇稳定氧化锆中晶界处的迁移率转变
材料科学
2020-05-18 v2
摘要
晶粒生长的停滞通常归因于杂质偏析。氧化钇稳定的立方氧化锆未表现出任何偏析引起的减速，因为当其晶粒尺寸增加超过一个数量级时，其晶粒生长仍遵循抛物线定律。然而，将温度降至 1300 oC 以下会引发突然的减速，使得平均晶粒在 1000 小时内增长不到 0.5 m，尽管在约 0.5 m 的细晶粒中赋予了相对较大的驱动力。然而，在同一个后述样品中，出现了异常大晶粒的孤立区域，以及异常小晶粒的区域。这种微观结构分叉以前从未被观察到，只能通过不迁移的四晶粒连接的不均匀分布来解释。讨论了这些发现对两步烧结的意义。
引用
@article{arxiv.1708.04091,
title = {Mobility Transition at Grain Boundaries in Two-Step Sintered 8 mol% Yttria Stabilized Zirconia},
author = {Yanhao Dong and I-Wei Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.04091},
year = {2020}
}