轻掺杂镧铜氧化物中的可移动反相畴
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
镧铜氧化物的轻空穴掺杂强烈抑制了反铁磁（AF）序的出现。令人惊讶的是，它同时抑制了外推的零温度亚晶格磁化强度。轻Li掺杂镧铜氧化物中的139La NQR结果表明，这些效应与所添加空穴的迁移率细节无关。我们提出了一个模型，其中掺杂的空穴相分离成带电畴壁，这些畴壁包围着“反相”畴。这些畴在低至约30 K的温度下是可移动的，在此温度下它们要么被钉扎在晶格上，要么随着其组成空穴被钉扎到掺杂剂杂质上而蒸发。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9809096,
title = {Mobile anti-phase domains in lightly doped lanthanum cuprate},
author = {P. C. Hammel and B. J. Suh and J. L. Sarrao and Z. Fisk},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9809096},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 4 figures, submitted to proceedings of the Second International Conference on Stripes and High Tc Superconductivity