Scifaro

中文

带参数磁杂质的 SN 结合中的 minigap

超导电性 2007-05-23 v1

作者: B. Crouzy , E. Bascones , D. A. Ivanov

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们研究了自旋翻转散射对带透明界面长规训 S-N 结合中态密度的影响。我们计算了自旋翻转散射率的临界值，该值对应 minigap 关闭，并给出 minigap 随自旋翻转率的依赖关系。对于我们考虑的系统，minigap 与临界自旋翻转率的尺度为 Thouless 能量，而非超导导滞能。

关键词

minigap S-N结合参数磁杂质自旋翻转散射 Thouless能量

引用

@article{arxiv.cond-mat/0506499,
  title  = {Minigap in a SN junction with paramagnetic impurities},
  author = {B. Crouzy and E. Bascones and D. A. Ivanov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0506499},
  year   = {2007}
}

备注

4 pages, 2 figures