掺杂多量子阱中垂直电子输运的微观建模
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v1
摘要
我们提出了强掺杂超晶格中输运的微观计算，其中畴形成很可能发生。我们的理论方法基于一个涉及系统谱函数的电流公式，因此原则上允许对各种相互作用机制进行系统研究。考虑到杂质散射和光学声子，我们与 Helgesen 和 Finstad (J. Appl. Phys. 69, 2689, (1991)) 的现有实验数据取得了良好的定量一致。此外，计算得到的谱函数表明，平均子带间间距相比裸能级差有显著增加，这可能解释了实验趋势。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9610120,
title = {Microscopic modelling of perpendicular electronic transport in doped multiple quantum wells},
author = {Andreas Wacker and Antti-Pekka Jauho},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9610120},
year = {2015}
}
备注
10 pages 5 figures