硼掺杂金刚石中有效载流子掺杂驱动超导演化的微观证据：11B-NMR研究
超导电性
2012-03-22 v2
摘要
我们通过对外延异质生长的(111)和(100)薄膜进行11B-NMR研究，探讨了硼(B)掺杂金刚石中发现的超导电性。所有薄膜的11B-NMR谱分别被识别为来自替代B(1)位点的单占据和替代为硼+氢(B+H)复合物的低对称B(2)位点。清晰的证据表明，由B(1)替代引入的有效载流子负责超导电性，而电荷中性的B(2)位点不能有效提供载流子。该结果也得到了由1/T1T测量推导出的态密度的佐证，表明超导的演化是由B(1)位点替代引入的有效载流子驱动的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610134,
title = {Microscopic Evidence for Evolution of Superconductivity by Effective Carrier Doping in Boron-doped Diamond:11B-NMR study},
author = {H. Mukuda and T. Tsuchida and A. Harada and Y. Kitaoka and T. Takenouchi and Y. Takano and M. Nagao and I. Sakaguchi and T. Oguchi and H. Kawarada},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610134},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 6 figures, to be published in Phys. Rev. B (Brief report)