SET 结构中岛临界温度的测量方法
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1 仪器与探测器
摘要
我们提出了一种测量超导单电子晶体管中岛临界温度的方法。该方法基于零偏压电导随温度变化的斜率发生急剧改变。我们利用该方法确定了具有 Al 引线的超导单电子晶体管中 Nb 岛的超导相变温度。我们获得高达 8.5 K 的 T_c^Nb 和高达 Δ_Nb ≃ 1.45 meV 的能隙。通过观察零偏压电导随磁场而非温度的变化，也可以确定岛的临界场。利用正统理论，我们在与能隙可比的温度下对 SET 中的电荷输运性质进行了大量数值模拟，与实验数据吻合良好，从而为我们的方法提供了坚实的理论基础。
引用
@article{arxiv.0806.3179,
title = {Method for finding the critical temperature of the island in a SET structure},
author = {J. J. Toppari and T. Kühn and A. P. Halvari and G. S. Paraoanu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.3179},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures