表面掺杂二维半导体 2H-MoTe$_2$ 中的金属-绝缘体转变与涌现带隙相

T. T. Han; L. Chen; C. Cai; Z. G. Wang; Y. D. Wang; Z. M. Xin; Y. Zhang

doi:10.1103/PhysRevLett.126.106602

表面掺杂二维半导体 2H-MoTe$_2$ 中的金属-绝缘体转变与涌现带隙相

超导电性 2021-03-16 v1 强关联电子

作者: T. T. Han , L. Chen , C. Cai , Z. G. Wang , Y. D. Wang , Z. M. Xin , Y. Zhang

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摘要

人工构建的二维（2D）界面或结构因其高度可调的载流子密度和界面增强的多体相互作用，成为探寻奇异相变的理想平台。本文中，我们报道了通过碱金属沉积在 2H-MoTe $_2$ 中创建的金属-半导体界面处发现的金属-绝缘体转变（MIT）与涌现带隙相。利用角分辨光电子能谱，我们发现界面处电子-声子耦合很强，其特征是清晰地观察到复制shake-off能带。如此强的电子-声子耦合与无序散射相互交织，导致极化子的安德森局域化，这可解释该 MIT。穹顶状涌现带隙相则可归因于极化子扩展态或声子介导的超导性。我们的结果证明了碱金属沉积作为增强二维半导体中多体相互作用的有效方法的能力。表面掺杂的 2H-MoTe $_2$ 是实现极化子绝缘体和高- $T_c$ 超导性的有前景的候选材料。

关键词

金属-绝缘体转变 2H-MoTe2 碱金属沉积电子-声子耦合极化子安德森局域化超导性

引用

@article{arxiv.2103.07596,
  title  = {Metal-Insulator Transition and Emergent Gapped Phase in the Surface-Doped 2D Semiconductor 2H-MoTe$_2$},
  author = {T. T. Han and L. Chen and C. Cai and Z. G. Wang and Y. D. Wang and Z. M. Xin and Y. Zhang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2103.07596},
  year   = {2021}
}

备注

11 pages, 4 figures, See Supplemental Material at http://link.aps.org/ supplemental/10.1103/PhysRevLett.126.106602

表面掺杂二维半导体 2H-MoTe$_2$ 中的金属-绝缘体转变与涌现带隙相

摘要

关键词

引用

备注

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