氢掺杂二氧化钒坏金属中的介观量子效应

对半经典电子传导的量子修正的标准处理假设电荷载流子在散射事件之间传播多个波长，并成功解释了在多晶金属和掺杂半导体中观察到的多种现象（弱局域化磁阻(WLMR)、普适电导涨落、阿哈罗诺夫-玻姆振荡）。我们报道了在 H$_{x}$VO$_{2}$ 中表观的 WLMR 和电导涨落，这是一种劣质金属（违背 Mott-Ioffe-Regel 极限），通过原子氢掺杂抑制 VO$_{2}$ 金属-绝缘体转变而稳定。外延薄膜、单晶纳米梁和纳米片显示出类似的现象，尽管表观 WLMR 的细节似乎取决于应变环境和假定掺杂水平的联合效应。鉴于此以及材料的高电阻率，对 WLMR 的自洽定量分析具有挑战性，因为 WLMR 的定量表达式是在假设良好金属性的前提下推导的。这些观察提出了如何评估和分析劣质金属中的介观量子效应的问题。