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低温磁屏蔽材料中机械刺激的畴重排

加速器物理 2016-01-05 v1

作者: Anthony C. Crawford

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摘要

本文测量并报道了几种低温磁屏蔽材料在室温下的性质与行为。当材料受到相对较小的机械刺激扰动时，观察到有效相对磁导率发生较大变化。磁导率的变化是一种可逆效应。

关键词

磁屏蔽低温材料机械刺激畴重排相对磁导率可逆效应

引用

@article{arxiv.1601.00592,
  title  = {Mechanically Stimulated Domain Re-arrangement in Cryogenic Magnetic Shielding Materials},
  author = {Anthony C. Crawford},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1601.00592},
  year   = {2016}
}