双电荷-Kondo 模型中的 $\mathbb{Z}_3$ 仲费米子

具有受挫 Kondo 相互作用的量子杂质模型可支持具有分数化激发的量子临界点。最近的实验 [arXiv:2108.12691] 在一个包含两个耦合金属-半导体岛的电路中展示了该临界点的输运特征。此处我们利用玻色化表明，描述该器件的双电荷-Kondo 模型在 Toulouse 极限下可映射为 sine-Gordon 模型。其 Bethe-ansatz 解表明，在临界点处涌现出一个 $\mathbb{Z}_3$ 仲费米子，其特征是分数为 $\tfrac{1}{2}\ln(3)$ 的剩余熵，以及散射分数电荷 $e/3$。我们还给出了该模型的完整数值重整化群计算，并表明所预测的 conductance（电导）行为与实验结果一致。