具有连续域束缚态结构中的材料与辐射损耗：以 Ge2Sb2Te5 为例
光学
2021-11-29 v1
摘要
谐振器中的损耗问题是现代等离激元和光子超器件设计与使用中的关键问题。我们提出了一种利用连续域束缚态确定结构中材料与辐射损耗的光谱方法，以相变硫族化物 Ge2Sb2Te5 为例。实验测量了非晶和晶态 Ge2Sb2Te5 的复折射率，并计算了电信波长 1500 nm 处的共振光学性质。为证明该方法的有效性，考虑了两类谐振器——根据 Friedrich-Wintgen 机制支持连续域束缚态的圆柱和环。我们确定了非晶 Ge2Sb2Te5 的材料品质因数 Qmat = 46，以及连续域束缚态 regime 下一对 TE0,1,2 和 TE0,2,0 模式的圆柱辐射品质因数 Qrad = 608 和环辐射品质因数 Qrad = 332。我们还展示了在 Ge2Sb2Te5 非晶与晶态之间高效切换散射谱的两种机制。
引用
@article{arxiv.2111.13637,
title = {Material and radiation losses in structures with bound states in the continuum: Ge2Sb2Te5 as an example},
author = {Daria V. Bochek and Nikolay S. Solodovchenko and Denis A. Yavsin and Alexander B. Pevtsov and Kirill B. Samusev and Mikhail F. Limonov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.13637},
year = {2021}
}
备注
21 pages, 7 figures. Submitted to Advanced Optical Materials