基于裂纹定义、具有亚 3 nm 间隙的黄金断裂结的大规模并行制备用于分子器件
应用物理
2018-09-05 v2
摘要
断裂结提供尖端形接触电极，是纳米与分子电子学的基本组件。然而，断裂结的制备迄今仍极为耗时且难以并行化。本文中，我们展示基于缺口桥结构中受控裂纹形成的新颖自断裂机制，在晶圆尺度上实现具有亚 3 nm 间隙的黄金断裂结的真正并行制备。我们实现的制备密度高达每 cm 700 万个结，其中获得具有固定间隙宽度、展现电子隧穿的裂纹定义亚 3 nm 间隙断裂结的制备良率约为 7%。我们还使用二硫醇端基的寡聚(苯乙炔)（OPE3）形成分子结，以证明我们的方法对低至液氦温度分子的电学探测的可行性。我们的技术通过实现固态断裂结的极大规模制备，为纳米与分子电子学应用开启了全新的实验机遇。
引用
@article{arxiv.1805.08724,
title = {Massively parallel fabrication of crack-defined gold break junctions featuring sub-3 nm gaps for molecular devices},
author = {Valentin Dubois and Shyamprasad N. Raja and Pascal Gehring and Sabina Caneva and Herre S. J. van der Zant and Frank Niklaus and Göran Stemme},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.08724},
year = {2018}
}
备注
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