通过各向异性抽运的脉泽偏振

（摘要精简）脉泽的偏振发射是研究脉泽源中磁场的极佳工具。大多数脉泽的线偏振被理解为脉泽饱和与各向异性抽运的相互作用。然而，对于后一种机制，迄今尚未提出定量模型。我们提出了一个全面的脉泽偏振模型，包括对各向异性抽运以及脉泽饱和对脉泽偏振影响的定量建模。我们在常规脉泽激发模型中扩展了一个维度来描述分子布居排列，并将线偏振维度纳入辐射转移。激发分析的结果给出了各向异性抽运和衰减参数，这些参数随后用于一维的精确脉泽偏振辐射转移建模。我们给出了 I 类 CH$_3$OH 脉泽、H$_2$O 脉泽和 SiO 脉泽多种跃迁的各向异性抽运参数。SiO 脉泽由于发生在晚型星附近，受到强定向辐射场的照射，因此被高度各向异性地抽运。I 类 CH$_3$OH 脉泽和 H$_2$O 脉泽与激波相关，由于激发区域的各向异性，它们被适度各向异性地抽运。我们的建模首次对脉泽的各向异性抽运提供了定量约束。我们发现各向异性抽运可以解释 SiO 脉泽的高偏振产率，以及未饱和 I 类 CH$_3$OH 脉泽的适度偏振。我们预测 $183$ GHz H$_2$O 脉泽被强烈各向异性地抽运。最后，我们概述了一种机制：当磁场方向沿各向异性抽运脉泽的传播路径改变时，会产生非塞曼圆偏振。