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利用肖特基势垒电位修饰调控具有量子阱结构的 Pd(100) 超薄膜磁化强度

材料科学 2019-02-11 v1

作者: Hidetake Tanabe , Shunsuke Sakuragi , Tetsuya Sato

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摘要

由于量子阱态而呈现铁磁性的 Pd(100) 超薄膜的磁化强度，通过施加偏置电压改变量子阱态得以调控。Pd/SrTiO $_{3-x}$ /Ti/Au 的磁矩的电压依赖性本质上取决于 Pd 薄膜厚度。磁矩的诱导变化源于 Pd 薄膜与半导体 SrTiO $_{3-x}$ 衬底之间界面处相移的调制。

关键词

钯超薄膜量子阱态磁化强度肖特基势垒 SrTiO$_{3-x}$ 衬底偏置电压

引用

@article{arxiv.1901.09481,
  title  = {Manipulation of magnetization in Pd(100) ultrathin films with quantum well structure using modification of Schottky barrier potentials},
  author = {Hidetake Tanabe and Shunsuke Sakuragi and Tetsuya Sato},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1901.09481},
  year   = {2019}
}

备注

5 pages, accepted for publication in Applied Physics Letters