单分子磁体中自旋选择规则对磁化量子隧穿的体现

J. J. Henderson; C. Koo; P. L. Feng; E. del Barco; S. Hill; I. S. Tupitsyn; P. C. E. Stamp; D. N. Hendrickson

单分子磁体中自旋选择规则对磁化量子隧穿的体现

介观与纳米尺度物理 2009-06-04 v1

作者: J. J. Henderson , C. Koo , P. L. Feng , E. del Barco , S. Hill , I. S. Tupitsyn , P. C. E. Stamp , D. N. Hendrickson

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摘要

我们展示了一种新型Mn3单分子磁体的低温磁强测量结果，其中磁化量子隧穿清晰地显示出量子力学选择规则的证据。仅在高温下出现的磁化量子隧穿共振表明，隧穿发生在自旋投影相差三倍数的激发态之间：这是由分子的C3对称性决定的，该对称性禁止从最低亚稳态的纯隧穿。分子对称性所禁止的共振通过正确取向单个锰离子的Jahn-Teller轴并包含横向偶极场来解释。这些因素可能对所有单分子磁体中的磁化量子隧穿都很重要。

关键词

单分子磁体磁化量子隧穿自旋选择规则 Mn3 C3对称性 Jahn-Teller效应横向偶极场

引用

@article{arxiv.0906.0732,
  title  = {Manifestation of Spin Selection Rules on the Quantum Tunneling of Magnetization in a Single Molecule Magnet},
  author = {J. J. Henderson and C. Koo and P. L. Feng and E. del Barco and S. Hill and I. S. Tupitsyn and P. C. E. Stamp and D. N. Hendrickson},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0906.0732},
  year   = {2009}
}

备注

Physical Review Letters (in press) Preprint form: 16 pages, 4 figures

单分子磁体中自旋选择规则对磁化量子隧穿的体现

摘要

关键词

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