非均匀半导体纳米线中的 Majorana 束缚态
介观与纳米尺度物理
2018-04-09 v1
摘要
我们证明，在存在 Zeeman 场的情况下，与超导体耦合的非均匀半导体纳米线中会产生部分重叠的 Majorana 束缚态（MBSs），这是一种普遍的低能特征。随着 Zeeman 场和其他控制参数的变化，这些低能模式的出现与系统可能经历的任何拓扑量子相变均不相关。增加势场变化的特征长度尺度，会导致从强重叠 MBSs（可被视为穿过零能的“常规”Andreev 束缚态（ABSs））到弱重叠 MBSs 的连续演化；后者在很宽的参数范围内具有近零能量，并产生类似于在拓扑超导相中出现的非简并零能 Majorana 零模（MZMs）的特征。我们表明，使用电荷（或自旋）输运测量几乎无法将 MZMs 与在拓扑平庸区中出现的弱重叠 MBSs 区分开来。
引用
@article{arxiv.1611.07058,
title = {Majorana bound states in non-homogeneous semiconductor nanowires},
author = {Christopher Moore and Tudor D. Stanescu and Sumanta Tewari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.07058},
year = {2018}
}
备注
4+ pages, 6 figures