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巡游电子与局域自旋相互作用的磁阻

强关联电子 2009-11-10 v1 材料科学

摘要

分析了在能带边缘附近,巡游电子与局域自旋相互作用的输运性质随带宽 WW、交换相互作用 JJ 和能带填充 nn 的函数变化。在动力学平均场近似下获得了数值结果,并借助解析处理进行了解释。如果可以忽略磁涨落的空间关联,并将 ρ(m)\rho (m) 定义为依赖于磁化强度的电阻率,我们发现:对于 J/W,n1J / W, n \ll 1(弱耦合、低密度极限),δρ/ρ(0)n4/3\delta \rho / \rho (0) \sim n^{-4/3};对于 J/W1,n1J / W \gg 1, n \ll 1(双交换、低密度极限),δρ/ρ(0)\delta \rho / \rho (0) \sim 常数,其中 δρ=ρ/m2m20\delta \rho = \partial \rho / \partial m^2 |_{m^2 \to 0}。还考虑了忽略局域化效应和临界涨落可能带来的局限性。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0404644,
  title  = {Magnetoresistance of itinerant electrons interacting with local spins},
  author = {G. Gomez-Santos and S. Fratini and F. Guinea},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0404644},
  year   = {2009}
}

备注

7 pages