GaAs-(Ga,Al)As 单个与耦合量子阱中的磁激子色散
材料科学
2008-11-22 v2
摘要
我们使用 Bethe-Salpeter (B-S) 形式体系讨论了单个与耦合 量子阱中的磁激子色散。在量子阱的情况下，B-S 形式体系提供了一个依赖于两个空间变量加上时间变量的激子波函数方程，即 B-S 方程是 2+1 维方程。我们将 LLL 近似下获得的磁激子色散结果与通过求解精确 B-S 方程计算的结果进行了比较。结果表明，精确的 B-S 方程具有一个在 LLL 近似中不存在的额外项（B-S 项）。在变分方法的框架内，我们得到： 在 量子阱中具有零波矢的重空穴磁激子的基态能量，通过精确 B-S 方程计算的结果与在 LLL 近似中获得的基态能量非常接近； 在强垂直磁场下，磁激子色散（面内磁激子质量）主要由 B-S 项决定，而不是 LLL 近似中描述电子-空穴库仑相互作用的项。
引用
@article{arxiv.0811.1251,
title = {Magnetoexciton dispersion in GaAs-(Ga,Al)As single and coupled quantum},
author = {Z. G. Koinov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.1251},
year = {2008}
}