LuFe2O4 中磁畴调控驱动的磁电效应
强关联电子
2015-06-15 v1 材料科学
摘要
利用阻抗谱对 LuFe2O4 单晶的磁电容效应进行了研究。本征阻抗响应可与界面响应分离，并在低于 T_Ferri ~ 240 K 的温度下，在磁场中显示出清晰的磁滞回线。磁场下的中子衍射实验证明，介电性质的起源与纳米尺度铁磁畴界的运动有关。这些结果表明，微观畴结构的改变是 LuFe2O4 中磁电效应的成因。
引用
@article{arxiv.1302.3661,
title = {Magnetoelectric Effect driven by Magnetic Domain Modification in LuFe2O4},
author = {Takashi Kambe and Yukimasa Fukada and Jun Kano and Tomoko Nagata and Hiroyuki Okazaki and Takayoshi Yokoya and Shuichi Wakimoto and Kazuhisa Kakurai and Naoshi Ikeda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.3661},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 5 figures