外延正交相YMnO3薄膜中的磁电耦合

X. Marti; V. Skumryev; V. Laukhin; F. Sanchez; M. V. Garcia-Cuenca; C. Ferrater; M. Varela; J. Fontcuberta

外延正交相YMnO3薄膜中的磁电耦合

强关联电子 2007-05-23 v1 材料科学

作者: X. Marti , V. Skumryev , V. Laukhin , F. Sanchez , M. V. Garcia-Cuenca , C. Ferrater , M. Varela , J. Fontcuberta

摘要

我们在Nb:SrTiO3(001)衬底上生长了正交相YMnO3氧化物的外延薄膜,并测量了它们的结构、磁性和介电响应。我们发现衬底诱导的应变产生了YMnO3晶胞的面内压缩。温度相关的磁化曲线在低于奈尔温度(TN约为40K)的温度下显示出显著的ZFC-FC磁滞。介电常数在TN以下逐渐增加(高达26%),并模拟了ZFC磁化曲线。我们认为这些效应是薄膜中磁电耦合的表现,并且YMnO3的磁结构可以通过衬底选择来控制。

关键词

磁电耦合 YMnO3 薄膜外延生长介电响应磁化

引用

@article{arxiv.cond-mat/0701387,
  title  = {Magnetoelectric coupling in epitaxial orthorhombic YMnO3 thin films},
  author = {X. Marti and V. Skumryev and V. Laukhin and F. Sanchez and M. V. Garcia-Cuenca and C. Ferrater and M. Varela and J. Fontcuberta},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701387},
  year   = {2007}
}

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外延正交相YMnO3薄膜中的磁电耦合

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