高强度太赫兹辐射诱导的磁阻振荡
介观与纳米尺度物理
2017-10-04 v1
摘要
我们报告了在 AlGaAs/GaAs 二维电子系统中观察到显著的太赫兹辐射诱导磁阻振荡，这是微波诱导电阻振荡（MIRO）的太赫兹类比。应用脉冲分子激光器的高功率辐射，我们证明迄今为止仅在低功率下观察到的 MIRO 即使在非常高的强度下也不会被破坏。辐射强度跨越五个数量级（从 W/cm 到 W/cm）的实验揭示了 MIRO 振幅的高功率饱和，这可由经验拟合函数 （其中 ）很好地描述。饱和强度 的量级为数十 W/cm，并随辐射频率从 THz 增加到 THz 而增大六倍。结果根据 MIRO 的微观机制进行了讨论，并与早期在显著较低激发频率下观察到的非线性效应进行了比较。
引用
@article{arxiv.1706.07239,
title = {Magneto-resistance oscillations induced by high-intensity terahertz radiation},
author = {T. Herrmann and Z. D. Kvon and I. A. Dmitriev and D. A. Kozlov and B. Jentzsch and M. Schneider and L. Schell and V. V. Bel'kov and A. Bayer and D. Schuh and D. Bougeard and T. Kuczmik and M. Oltscher and D. Weiss and S. D. Ganichev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.07239},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 9 figures