氟化铝的磁光囚禁

J. E. Padilla-Castillo; J. Cai; P. Agarwal; P. Kukreja; R. Thomas; B. G. Sartakov; S. Truppe; G. Meijer; S. C. Wright

doi:10.1103/ksnd-9fyf

氟化铝的磁光囚禁

原子物理 2025-10-22 v2 量子物理

作者: J. E. Padilla-Castillo , J. Cai , P. Agarwal , P. Kukreja , R. Thomas , B. G. Sartakov , S. Truppe , G. Meijer , S. C. Wright

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摘要

迄今为止，分子的磁光囚禁仅限于具有 $^2\Sigma$ 电子基态的分子。这些化学物种具有化学活性，且仅支持从其第一激发转动能级开始的简单激光冷却方案。在此，我们展示了氟化铝 (AlF) 的磁光阱 (MOT)，这是一种具有 $^1\Sigma^+$ 电子基态的深束缚且本质稳定的双原子分子。该 MOT 工作于近 227.5~nm 处的强 A $^1\Pi\leftarrow{}$ X $^1\Sigma^+$ 跃迁，其 Q $(J)$ 线均具有转动闭合性。我们展示了 AlF $J=1$ 能级约 $6\times 10^4$ 个分子的 MOT， $J=2$ 和 $3$ 能级超过 $10^4$ 个分子，且向更高转动能级过渡没有根本性限制。AlF 的激光冷却与囚禁在概念上类似于将碱土金属原子引入冷原子物理，对于利用其自旋禁戒 a $^3\Pi \leftarrow{}$ X $^1\Sigma^+$ 跃迁进行精密光谱学和窄线冷却至关重要。

关键词

磁光阱氟化铝激光冷却双原子分子精密光谱学窄线冷却

引用

@article{arxiv.2506.02266,
  title  = {Magneto-optical trapping of aluminum monofluoride},
  author = {J. E. Padilla-Castillo and J. Cai and P. Agarwal and P. Kukreja and R. Thomas and B. G. Sartakov and S. Truppe and G. Meijer and S. C. Wright},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2506.02266},
  year   = {2025}
}

备注

7 pages, 3 figures. Version accepted in Physical Review Letters after review

氟化铝的磁光囚禁

摘要

关键词

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