高密度 CaF 的射频磁光阱俘获

我们利用极慢的低温束源以及射频调制和直流磁场，展示了对分子磁光阱俘获的显著改进。该射频磁光阱在 $4(1) \times 10^6$ cm$^{-3}$ 的密度下俘获了 $1.1(3) \times 10^5$ 个 CaF 分子，比以往的分子磁光阱高出一个数量级。达到了近多普勒极限温度 $340(20)$ $\mu$K。所达到的密度使得未来直接加载光镊并为量子模拟创建光学阵列的工作成为可能。