基于从头算的碳纳米管磁响应
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们提出了碳纳米管（孤立和成束）的磁化率和C化学位移的{\it ab initio}计算。这些计算使用最近提出的规范包含投影缀加平面波方法进行，用于计算周期性绝缘系统中的磁响应。我们重点关注直径范围为0.6至1.6 nm的半导体锯齿形纳米管。磁化率和各向同性位移均表现出对直径（D）和管手性（尽管这种依赖性对磁化率更强）的依赖。各向同性位移渐近表现为，其中是每类纳米管的不同常数。对于约1.2 nm的管径（通常在实验样品中发现的值），我们的结果与实验非常吻合。此外，我们计算了双壁管的化学位移。我们发现，由于外管的作用，内管原子对应的各向同性线发生抗磁位移。该位移与最近的实验吻合良好，并且可以很容易地通过外管周围的退磁电流来解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510197,
title = {Magnetic response of carbon nanotubes from ab initio calculations},
author = {Miguel A. L. Marques and Mayeul d'Avezac and Francesco Mauri},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510197},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 4 figures