Y3Fe5O12 / AlOx / GaAs异质结构界面层中磁性质、自旋波及自旋激发与二维电子的相互作用
介观与纳米尺度物理
2018-08-29 v1
摘要
我们描述了在GaAs基衬底上溅射的亚微米Y3Fe5O12（YIG）薄膜的合成，并展示了在YIG / AlOx / GaAs异质结构中界面层内铁磁共振（FMR）、自旋波传播以及自旋激发与二维电子相互作用的研究结果。发现弛豫过程对FMR线宽的贡献约为线宽 \Delta H 的2%。同时，所有样品的FMR线宽都很高。溅射YIG薄膜具有磁不均匀性，其给FMR线宽带来主要贡献。设计了在AlOx / GaAs界面中具有由YIG薄膜自旋激发调控的二维电子气（2DEG）通道的晶体管结构。观察到自旋激发对流过GaAs 2DEG通道电流的有效影响。光照明导致FMR谱的本质变化。发现2DEG电流的增加导致反效应，表现为FMR谱的本质变化。
引用
@article{arxiv.1711.09814,
title = {Magnetic properties, spin waves and interaction between spin excitations and 2D electrons in interface layer in Y3Fe5O12 / AlOx / GaAs-heterostructures},
author = {L. V. Lutsev and A. I. Stognij and N. N. Novitskii and V. E. Bursian and A. Maziewski and R. Gieniusz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.09814},
year = {2018}
}
备注
7 pages, 6 figures