具有低磁阻尼的纳米级厚度 Y3Fe5O12 薄膜的外延图案化
介观与纳米尺度物理
2016-01-20 v1
摘要
具有极低磁阻尼的磁绝缘体（如钇铁石榴石 Y3Fe5O12）因其低能量耗散和高效的自旋流产生与传输，为低功耗自旋轨道电子学打开了大门。我们展示了在绝缘 Gd3Ga5O12 衬底上 Y3Fe5O12 薄膜基纳米结构的可靠且高效的外延生长与纳米图案化。具体而言，我们的制备工艺与常规溅射和剥离工艺兼容，且不需要可能对氧化物薄膜有害的剧烈离子铣削。结构和磁性质表明其具有良好的品质，特别是薄膜和图案化结构均具有低磁阻尼。系统地研究了纳米结构的动态磁性质随横向尺寸的变化。通过与铁磁纳米线结构进行比较，实验和模拟均识别出除主模式外的一个明显边缘模式，该模式在改变纳米线宽度时还表现出与主模式的交叉。动态模式在纳米结构尺寸上的非线性演化突显了尺寸限制对 Y3Fe5O12 纳米结构作为关键功能组件的磁性器件材料性质的重要作用。
引用
@article{arxiv.1512.00286,
title = {Epitaxial patterning of nanometer-thick Y3Fe5O12 films with low magnetic damping},
author = {Shaozhen Li and Wei Zhang and Junjia Ding and John E. Pearson and Valentine Novosad and Axel Hoffmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.00286},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 6 figures, Nanoscale (2015)