单层 CeI$_{2}$ 的磁基态：占据矩阵控制与 DFT+U 计算

磁基态对于二维磁体的应用至关重要，因为它决定了材料的基本磁性质，例如磁序、磁转变温度和自旋波的低能激发。然而，由于亚稳态的存在，局域电子系统的磁性模拟具有挑战性。在本研究中，应用占据矩阵控制 (OMC) 和密度泛函理论加 Hubbard $U$ 计算来研究单层 CeI$_{2}$ 的磁基态。在预测的铁磁 (FM) 序之后，识别出 FM 基态和 FM 亚稳态，并发现它们具有不同的磁参数值。基于 FM 基态的计算磁参数，单层 CeI$_{2}$ 的居里温度估计为 $128$ K。当考虑自旋轨道耦合 (SOC) 时，进一步确认 FM 基态同时包含面外和面内磁化分量。结果表明，SOC 对于合理描述单层 CeI$_{2}$ 的磁各向异性和局域电子轨道态都是必不可少的。