弱耦合垂直量子点分子在高源漏偏置电流中的磁场诱导效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们报告了最近在弱耦合垂直量子点中观察到的磁场共振、诱导时间依赖振荡和滞后效应的基本性质，这些效应出现在高源漏偏置（高达几十 mV）下的电流中。这些效应与通常在量子点分子的 N=2 自旋阻塞区（通常针对弱面内磁场）中报道的效应具有某些相似性，并归因于超精细耦合；但此处测量是在自旋阻塞区之外进行的，且面外磁场高达约 6 T。
引用
@article{arxiv.0710.0884,
title = {Magnetic field induced effects in the high source-drain bias current of weakly coupled vertical quantum dot molecules},
author = {D. G. Austing and C. Payette and G. Yu and J. A. Gupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.0884},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 3 figures, accepted for publication in Physica E in EP2DS 17 conference proceedings