低温高迁移率硅 MOSFET 中磁场驱动的扩展与局域电子态间重分布
强关联电子
2021-07-21 v1
摘要
在低温高迁移率 Si MOSFET 的振荡电子输运研究中，我们观测到弱面内磁场下的两个关联效应：重整化磁化率 的陡降与可动载流子浓度 的升高。我们提出一种磁场驱动的扩展态与局域态间重分布的现象学模型，定性解释了上述两效应。我们认为该重分布主要由能量接近费米能 、与多数费米液体态共存的的大自旋局域态的磁化引起。我们的发现还解决了弱磁场（）与强磁场（）下 实验数据间长期存在的分歧。
引用
@article{arxiv.2107.01411,
title = {Magnetic-field-driven redistribution between extended and localized electronic states in high-mobility Si MOSFETs at low temperatures},
author = {V. M. Pudalov and M. E. Gershenson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.01411},
year = {2021}
}
备注
11 pages, 8 figures