原始及锗掺杂 CoCr$_2$O$_4$ 中磁场依赖的螺旋旋转

我们报道了在低磁场和高磁场（从 0.2 T 到 6.5 T）下，对多铁性薄膜 Co$_{0.975}$Ge$_{0.025}$Cr$_2$O$_4$（Ge-CCO）和 CoCr$_2$O$_4$（CCO）中自旋构型的软 X 射线共振磁散射研究。我们对低磁场下的 Ge-CCO 进行了表征，并将结果与纯 CCO 的结果进行了比较。Ge-CCO 中的亚铁磁相变温度 $T_C \approx 95$ K 和多铁相变温度 $T_S \approx 27$ K 与在 CCO 中观察到的相当。在 Ge-CCO 中，$T_S$ 以下观察到的有序波矢 $\textit{(qq0)}$ 略大于 CCO 的，并且与 CCO 不同，其衍射强度由两部分贡献组成，表现出不同的 X 射线偏振依赖性。在 Ge-CCO 中，低温下观察到的矫顽场大于 CCO 报道的值。在这两种化合物中，仅通过磁场冷却就观察到了螺旋手性以及由此产生的电极化的意外反转。此外，我们在 Ge-CCO 的磁衍射峰中发现手性随动量转移的变化，表明存在多个磁螺旋。