拓扑半金属 EuB6 的磁畴结构与畴壁束缚态
材料科学
2022-12-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
电学操控畴壁（DW）是自旋电子学领域的核心问题。磁性 Weyl 半金属（WSM）利用拓扑畴壁束缚态为畴壁的电场操控提供了额外的调控手段。我们以磁性 WSM 材料 EuB6 为原型体系，结合第一性原理计算与基于磁力显微镜（MFM）的畴成像，研究其畴壁束缚态。MFM 测量表明，在沿 [001] 方向的小磁场下，磁化沿三个 [100] 方向的畴占主导地位。据此，基于实验确定的畴壁类型进行了第一性原理计算，结果显示出一种鲁棒的畴壁束缚态，其谱分布覆盖畴壁布里渊区的很大一部分。此类畴壁束缚态应会导致大量局域电荷，可通过作用于局域畴壁电荷的静电力来驱动畴壁运动。
引用
@article{arxiv.2212.03170,
title = {Magnetic domain structure and domain wall bound states of topological semimetal EuB6},
author = {Qiang Li and Haiyang Ma and Xin Zhang and Yanfeng Guo and Jianpeng Liu and Wenbo Wang and Xiaodong Zhou and Jian Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.03170},
year = {2022}
}
备注
4 figures