Lyα轮廓形状作为高红移逃逸分数诊断

虽然Ly$\alpha$轮廓形状被视为低红移（z~0.3）莱曼连续谱巡天中电离光子逃逸分数（$f_{esc}$）的最佳示踪剂之一，但这种联系在高红移下仍未得到检验。在这里，我们将Keck莱曼连续谱巡天中80个天体的深紫外Keck/LRIS光谱与Keck/MOSFIRE光学光谱相结合，以检验z~3恒星形成星系中Ly$\alpha$轮廓形状与电离辐射逃逸之间的潜在相关性。我们测量了双峰Ly$\alpha$发射结构之间的速度间隔（v$_{\rm sep}$）、红侧Ly$\alpha$发射峰与系统速度之间的间隔（v$_{\rm Ly\alpha,red}$），以及红侧发射峰与低电离星际吸收线之间的间隔（v$_{\rm Ly\alpha-LIS}$）。我们发现，在v$_{\rm Ly\alpha,red}$较低的KLCS天体中，经IGM校正的电离与非电离通量密度比显著更高。我们未发现电离光子逃逸度量与v$_{\rm Ly\alpha-LIS}$之间存在显著趋势。我们将结果与文献中z~0.3“绿豌豆”星系的测量结果进行比较，发现KLCS天体在固定v$_{\rm Ly\alpha,red}$下具有更大的v$_{\rm sep}$，在固定v$_{\rm Ly\alpha,red}$下具有更大的$f_{esc}$，并且整体上v$_{\rm Ly\alpha,red}$高于z~0.3的类似天体。我们得出结论，高红移源的Ly$\alpha$轮廓形状根本不同，并且轮廓形状的测量（如v$_{\rm Ly\alpha,red}$）以不同方式映射到$f_{esc}$。我们警告不要仅基于低红移矮星系的Ly$\alpha$轮廓构建再电离时代的$f_{esc}$诊断。在更大的z~3星系样本中追踪v$_{\rm sep}$、v$_{\rm Ly\alpha,red}$和$f_{esc}$将揭示这些变量在再电离时代星系中如何关联。