具有U₃Ni₄Si₄型结构的La₃Pd₄Ge₄低温比热
超导电性
2014-11-13 v1
摘要
对一种新型三元超导体La₃Pd₄Ge₄的低温比热进行了研究，该材料具有由交替的BaAl₄(ThCr₂Si₂)型和AlB₂型层组成的U₃Ni₄Si₄型结构。同时将其与相关的ThCr₂Si₂型超导体LaPd₂Ge₂（La₃Pd₄Ge₄的其中一层）进行了比较研究。从正常态比热得出La₃Pd₄Ge₄的索末菲系数γₙ=27.0 mJ/mol K²和德拜温度Θ_D=256 K，而LaPd₂Ge₂的相应值为γₙ=8.26 mJ/mol K²和Θ_D=291 K。La₃Pd₄Ge₄在费米能级处具有中等偏高的电子态密度。两种化合物的电子比热贡献C_el均很好地符合BCS行为，表明La₃Pd₄Ge₄和LaPd₂Ge₂在超导态均具有完全打开的各向同性能隙。
引用
@article{arxiv.0708.0129,
title = {Low temperature specific heat of La_{3}Pd_{4}Ge_{4} with U_{3}Ni_{4}Si_{4}-type structure},
author = {S. Kasahara and H. Fujii and T. Mochiku and H. Takeya and K. Hirata},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.0129},
year = {2014}
}