若干IV-VI族半导体四元固溶体的低温相变

利用电学与X射线方法在4--200~K温度范围内研究了PbS$_x$Se$_y$Te$_{1-x-y}$、Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te$_{1-y}$Se$_y$和Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te$_{1-y}$S$_y$四元固溶体样品。确定了发生低温相变的区域。结果表明，这些固溶体中的相变与偏离中心的S和Sn离子有关。考虑到替代无序对偏离中心离子有序化与隧穿的影响，可以定性描述相变温度对固溶体组成的依赖关系。