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伊辛向列量子临界点附近的低频拉曼响应:记忆矩阵方法

强关联电子 2022-10-31 v1

摘要

近期拉曼散射实验在FeSe1xSx\mathrm{FeSe_{1-x}S_x}中伊辛向列量子临界点(QCP)附近揭示了“准弹性峰”\cite{zhang17}。值得注意的是,该峰出现在低于温度的频率处,且当温度向QCP降低时以TαT^{\alpha}软化,其中α>1\alpha>1。本文中,我们利用记忆矩阵方法对低频拉曼响应进行理论分析。我们表明,此类准弹性峰与费米面伊辛向列形变的弛豫相关。具体而言,我们发现峰频率正比于τ1χ1\tau^{-1}\chi^{-1},其中χ\chi为伊辛向列热力学磁化率,τ1\tau^{-1}为向列形变因杂质散射与临界伊辛向列涨落介导的电子-电子散射相互作用而产生的衰减率。我们认为临界涨落在决定所观测准弹性峰频率的温度依赖关系中起关键作用。在大于温度的频率处,我们发现拉曼响应正比于ω1/3\omega^{1/3},与早前预测\cite{klein18a}一致。

关键词

引用

@article{arxiv.2011.01818,
  title  = {Low frequency Raman response near Ising-nematic quantum critical point: a memory matrix approach},
  author = {Xiaoyu Wang and Erez Berg},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2011.01818},
  year   = {2022}
}

备注

6 pages + 5 figures