磁通量子比特中量子隧穿的低频表征
超导电性
2009-11-07 v2
摘要
我们提出利用阻抗测量技术 (IMT) 来研究磁通量子比特，该技术目前用于确定约瑟夫森结的电流-相位关系。我们详细分析了与高质量 tank 电路耦合的持续电流量子比特的情况，IMT 已成功应用于该体系的经典区域。结果表明，低频 IMT 可以提供关于能级反交叉的大量信息，特别是隧穿振幅的值。将交流偏压直接施加于 tank 电路和通过量子比特间接施加之间存在有趣的差异。在后一种情况下，描述了一种原位找到简并点的便捷方法。我们的设计仅涉及现有技术，并且其噪声容忍度经定量估计是现实的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208076,
title = {Low-frequency characterization of quantum tunneling in flux qubits},
author = {Ya. S. Greenberg and A. Izmalkov and M. Grajcar and E. Il'ichev and W. Krech and H. -G. Meyer and M. H. S. Amin and Alec Maassen van den Brink},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208076},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 11 figures, to appear in Phys.Rev.B