缺陷处原子的低能量子动力学：硅中的间隙氧
凝聚态物理
2009-10-28 v4
摘要
通过路径积分蒙特卡罗模拟，研究了固体中孤立杂质的低能、高度非谐量子动力学问题。硅中的间隙氧作为表现出这种行为的典型例子被研究。讨论了为缺陷赋予“几何结构”的问题。取决于势（或杂质质量），存在一个“经典”区域，其中氧核的最大概率密度位于势能最小值处。还有另一个与高度非谐势相关的区域，情况并非如此。这两个区域被一个尖锐的转变分开。此外，还研究了将多核问题解耦为单体哈密顿量以描述低能动力学的问题。从所有其他自由度在每个与低能运动相关的坐标值处弛豫获得的绝热势，给出了对完整多核问题的最佳近似。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9607115,
title = {Low-energy quantum dynamics of atoms at defects. Interstitial oxygen in silicon},
author = {Rafael Ramirez and Carlos P. Herrero and Emilio Artacho and Felix Yndurain},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9607115},
year = {2009}
}
备注
RevTeX, 6 pages plus 4 figures (all the figures were not accesible before)