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低能etaN相互作用：散射长度与共振参数

核理论 2008-11-26 v1

作者: R. A. Arndt , W. J. Briscoe , T. W. Morrison , I. I. Strakovsky , R. L. Workman , A. B. Gridnev

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摘要

我们考虑了最近的两次 pi- p-->eta n 测量对etaN散射长度以及N(1535)和N(1520)共振的etaN分支比的影响，所用方法为对piN弹性散射和etaN产生数据的耦合道分析。还探讨了这些结果对模型输入的敏感性。

关键词

etaN相互作用散射长度共振参数耦合道分析分支比 πN散射

引用

@article{arxiv.nucl-th/0507024,
  title  = {Low-energy etaN interactions: scattering lengths and resonance parameters},
  author = {R. A. Arndt and W. J. Briscoe and T. W. Morrison and I. I. Strakovsky and R. L. Workman and A. B. Gridnev},
  journal= {arXiv preprint arXiv:nucl-th/0507024},
  year   = {2008}
}

备注

11 pages, 5 figures