Sn 同位素的低能电偶极响应

我们研究了 Sn 同位素链在等标量 (IS) 和等矢量 (IV，或 E1) 电通道中的低能偶极 (LED) 强度分布，旨在为使用稳定靶和放射性束的新实验提供可检验的预测和指导。我们采用了具有有限程相互作用的自洽准粒子随机相位近似 (QRPA)，主要使用 Gogny D1S 力。我们还分析了一种由唯象三体接触项补充的实在两体相互作用的性能。我们发现，从 N=50 到 N=82 壳层闭合 ($^{132}$Sn)，IS-LED 谱的最低能部分由一个集体跃迁主导，其性质随中子数平滑变化，且不能解释为中子皮振荡。对于富中子核素，该态对粒子阈值以下的 E1 强度有贡献，但更多的 E1 强度由阈值附近或以上的其他微弱但众多的跃迁所携带。我们发现，在 N=82 之后谱中发生了强烈的结构变化，即 LED 强度增加且激发能降低。我们使用 Gogny 相互作用得到的结果与现有数据相容。在此基础上，我们预测：a) 对于 N=50-82，粒子阈值以下的总和 IS 强度应具有相同的数量级；b) 对于 N=50-82，高达约 12 MeV 的总和 E1 强度应相似；而 c) 对于 N ~ 64 - 82，阈值以下的总和 E1 强度应具有相同的数量级，而对于较轻、更对称的同位素则弱得多。我们指出了我们的结果与其他非相对论研究的一般一致性，某些研究中缺乏集体 IS 模式，以及可能与相对论模型存在的根本性分歧。