通过硅光子学中 MoS2 层的异质集成实现损耗与耦合调控
光学
2018-10-26 v2 应用物理
摘要
层状二维（2D）材料相较于其块体对应物具有广泛独特的性质，使其成为片上互连异质集成的理想选择。因此，详细理解硅集成平台上的损耗与折射率变化，是推动光电子器件在光通信技术、信号处理乃至基于光子的计算等领域发展的先决条件。在此，我们给出一份实验指南，用于表征在 1.55 um 波长下单片集成于硅光子平台的过渡金属硫族化物（TMDs）。我们从由二维材料层覆盖长度与厚度引起的损耗角度，描述了谐振器的被动可调耦合效应。进一步，我们展示了一种基于 TMD-环形谐振器的混合平台作为折射率传感器，其谐振偏移已作为薄片厚度的函数被标出，并与我们的仿真数据吻合良好。这些关于被动 TMD-Si 混合平台的实验发现，通过控制损耗与折射率的有效变化开辟了新维度，可能催生基于二维材料的主动片上光子学潜在应用。
引用
@article{arxiv.1810.09823,
title = {Loss and Coupling Tuning via Heterogeneous Integration of MoS2 Layers in Silicon Photonics},
author = {Rishi Maiti and Chandraman Patil and Rohit Hemnani and Mario Miscuglio and Rubab Amin and Zhizhen Ma and Rimjhim Chaudhary and Charlie Johnson and Ludwig Bartels and Ritesh Agarwal and Volker J. Sorger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.09823},
year = {2018}
}