利用高通量计算在TMX金属间化合物中寻找新型热电材料
材料科学
2018-10-17 v1
摘要
在4种不同的晶体结构中，通过高通量密度泛函理论计算研究了2280种三元金属间化合物构型，以发现新的半导体材料。筛选限于等摩尔组成TMX的金属间化合物，其中T为来自Ti、V、Cr族的过渡金属，以及Sr、Ba、Y和La，M为第一过渡金属行的元素，X为sp元素（Al、P、Si、Sn和Sb），即限于24种可能元素的列表。由于计算以组合方式进行，考虑了每一种可能的三元组成，包括文献中未报道的。所有这些TMX构型在4种报道最多的结构类型中进行了研究：TiNiSi、MgAgAs、BeZrSi和ZrNiAl。对于已报道稳定相，计算与文献高度吻合，我们确定了472种可能的稳定化合物，其中21种被预测为非金属。在这21种组成中，4种可被视为新型半导体。
引用
@article{arxiv.1807.07821,
title = {Looking for new thermoelectric materials among the TMX intermetallics using high-throughput calculations},
author = {Celine Barreteau and Jean-Claude Crivello and Jean-Marc Joubert and Eric Alleno},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.07821},
year = {2018}
}