应用于点缺陷量子比特系统的纵向自旋弛豫模型
量子物理
2020-04-22 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
半导体中可控、部分隔离的少能级系统近年来因其在纳米级传感和量子技术中的广泛应用而受到多学科关注。对此类系统的动力学及相关应用进行定量模拟是一项具有挑战性的理论任务，不仅需要忠实描述少能级系统本身，还需要描述其局部环境。在此，我们发展了一种能够描述由稀薄的核自旋与电子自旋浴所诱导的相关弛豫过程的方法。该方法在中心自旋系统团簇近似的框架下利用扩展的Lindblad方程。我们证明，所提出的方法能够准确描述典型固态点缺陷量子比特系统（特别是金刚石中的NV中心）在不同磁场和应变下的T时间。
引用
@article{arxiv.2001.01801,
title = {Longitudinal spin relaxation model applied to point defect qubit systems},
author = {Viktor Ivády},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.01801},
year = {2020}
}