强磁场中微扰QCD的纵向电导率：完备领头阶

基于尺度层级假设 $\alpha_s eB\ll (m_q^2,T^2)\ll eB$，我们计算了强背景磁场下微扰QCD完备领头阶的纵向电导率。我们构建了最低朗道能级夸克的有效动力学理论，其领头阶QCD碰撞项源于1-to-2过程，而这些过程由于1+1维朗道能级运动学而成为可能。在 $m_q/T\ll 1$ 的小质量区，纵向电导率表现为 $\sigma_{zz}\sim e^2(eB)T/(\alpha_s m_q^2\log(m_q/T))$，其中夸克质量依赖性可通过手征反常理解，轴荷弛豫由有限夸克质量 $m_q$ 提供。我们还通过计计算负责色电荷输运的夸克和胶子的主导阻尼率，给出了强磁场下纵向和横向“色导率”的参数估计。我们观察到纵向色导率被强磁场增强，这意味着在微扰QCD中sphaleron跃迁率由于色场动力学中增强的 Lenz's law 而被强磁场抑制。